Doktorand i fysik med inriktning mot utveckling av nästa generations halvledande material med ultra-stora bandgap - Under tillsättning eller tillsatt, ej sökbar

COMPEL, ”COMPetence for the ELectrification of the transport system”, är en strategisk satsning från Sveriges regering, med syfte att stärka forsknings- och utbildningsmiljöerna inom batteriteknik och elektrifiering. Inom COMPEL fördjupar de tre lärosätena Chalmers tekniska högskola, Lunds universitet och Uppsala universitet, i samråd med viktiga aktörer i svensk industri, sitt samarbete i avsikt att stärka Sveriges position inom batterier och elektrifieringen av transportsektorn och relaterade områden. Satsningen syftar till att stärka forskning- och utbildningssatsningar relaterade till batteriområdet med målet att säkerställa att relevant forskning inom batteriteknik för att elektrifiering av transportsektorn bibehålls och vidareutvecklas i Sverige. Forskning inom COMPEL spänner över batteriets hela värdekedja: materialforskning, forskning kring nya cellkoncept och celltillverkning, batterisystem och systemintegration, återvinning och säkerhet.

Vid Lunds universitet med Lunds Tekniska Högskola är COMPEL en strategisk satsning som syftar till att stärka forskningsmiljöer inom batteriteknik och elektrifiering, på ett sätt som kompletterar relevant forskning på andra lärosäten och som bygger på våra styrkor. COMPEL vid Lunds universitet inkluderar initialt forskare vid tio institutioner och tre forskningsområden har identifierats för strategisk utveckling: materialforskning, integration av batterier med kraftelektronik och säker energilagring. På utbildningssidan utökas antal platser inom flera civilingenjörsprogram och kursutbudet relaterat till batteriteknik och elektrifiering stärks.

Beskrivning av arbetsplatsen

Doktorandtjänsten är knuten till avdelningen för fasta tillståndets fysik vid fysiska institutionen, där omfattande forskning bedrivs centrerad kring olika områden inom nanofysik, alltifrån materialvetenskap till bio- och kvantfysik samt olika tillämpningar. Avdelningen är en central del av NanoLund, som är Lunds Universitets stora tvärvetenskapliga forskningscenter kring nanovetenskap och nanoteknik. Till avdelningen hör Lund Nano Lab, en central och gemensam facilitet för framställning av material och komponenter på nanoskalan. Avdelningen har även ett starkt engagemang i grundutbildningen, inte minst inom civilingenjörsprogrammet “Teknisk Nanovetenskap” vid LTH.

Projektet genomföras i samarbete med avdelningen för synkrotronljusfysik vid fysiska institutionen, där forskare använder och utvecklar ett brett spektrum av röntgenbaserade tekniker för studier av elektroniska, strukturella och kemiska 

egenskaper hos material, särskilt nanostrukturer. Studier kommer att använda MAX IV i Lund, världens första 4:e generationens synkrotron.

Båda avdelningarna kännetecknas av en mångfald bland medarbetare och studenter. Öppenhet, gott samarbete och bra verksamhetsstöd är viktigt för oss.

Under de senaste tjugo åren har vår forskning om tillverkning och avancerad karakterisering av halvledare med stora bandgap legat i internationell framkant. Vi leder för närvarande ett Vinnova-kompetenscentrum där vi utvecklar nästa generations högfrekvens- och kraftelektronik tillsammans med ledande svenska industripartners. 

För mer information se C3NiT, Division of Solid State Physics, NanoLund, Division of Synchrotron Radiation Research, Max IV

Arbetsuppgifter

Syftet med detta doktorandprojekt är att utveckla ny halvledarteknik med ultrabrett bandgap, såsom AlN och relaterade legeringar för grön kraftelektronik. Detta inkluderar tillväxt genom metallorganisk ångfas epitaxi (MOVPE) och avancerad karakterisering av material och enhetsstrukturer med hjälp av synkrotronbaserade tekniker vid MAX-IV och andra synkrotroner. Arbetsuppgifterna är: 

• epitaxiell tillväxt av AlN, AlGaN och relaterade komponenter och heterostrukturer med MOVPE (Lund Nano Lab)
• in situ studier av halvledarytor under oxidationsreaktioner med röntgenfotoelektronspektroskopi (XPS) vid MAX IV
• operandostudier av gränsytor i elektroniska komponenter med olika XPS-baserade tekniker vid MAX IV och synkrotroner
• komplementära studier av strukturella och elektroniska egenskaper med avancerade karaktäriseringsmetoder

Dopning och bearbetning av halvledare med ultrabrett bandgap innebär stora utmaningar och kan möjliggöra elektroniska enheter med betydligt bättre prestanda jämfört med traditionella kraftelektroniska enheter baserade på Si och SiC.

Den forskarstuderande förväntas att arbeta självständigt såväl som i nära samarbete med andra forskare knutna till projektet. 

Huvuduppgiften för en doktorand är att ägna sig åt sin forskarutbildning vilket innefattar såväl deltagande i forskningsprojekt som forskarutbildningskurser. I arbetsuppgifterna kan det även ingå medverkan i undervisning och annat institutionsarbete, dock max 20 % av arbetstiden. 

Behörighet

Grundläggande behörighet till utbildning på forskarnivå har den som:

• avlagt examen på avancerad nivå, eller
• fullgjort kursfordringar om minst 240 högskolepoäng, varav minst 60 högskolepoäng på avancerad nivå, eller
• på något annat sätt inom eller utom landet förvärvat i huvudsak motsvarande kunskaper.

Kraven på särskild behörighet för forskarutbildningsämnet fysik uppfyller den som har:

• minst 30 högskolepoäng på avancerad nivå med relevans för ämnesområdet, varav ett fördjupningsarbete om minst 15 högskolepoäng på avancerad nivå, eller
• civilingenjörsexamen inom teknisk fysik eller närliggande ämnesområde, eller masterexamen inom fysik eller närliggande ämnesområde.

Slutligen krävs att studenten bedöms ha den förmåga som behövs för att tillgodogöra sig utbildningen.

Övriga krav: 

• Mycket goda kunskaper i engelska, i tal och skrift, är ett krav.
• Erfarenhet av experimentellt arbete och förmåga till skickligt laboratoriearbete är ett krav.

Bedömningsgrunder

Urval till utbildning på forskarnivå sker efter bedömd förmåga att tillgodogöra sig forskarutbildningen. Bedömningen av förmågan sker främst utifrån studieresultaten på grundnivå och avancerad nivå.

Följande beaktas:

1. Kunskaper och färdigheter relevanta för avhandlingsarbetet och utbildningsämnet, se Arbetsuppgifter. Dessa kan visas genom bilagda handlingar.
2. Bedömd förmåga till självständigt arbete och förmåga att formulera och angripa vetenskapliga problem. Bedömningen kan exempelvis ske utifrån examensarbetet och en diskussion kring detta vid en eventuell intervju.
3. Förmåga till skriftlig och muntlig kommunikation.
4. Övriga erfarenheter relevanta för utbildningen på forskarnivå, t.ex. yrkeserfarenhet.

Önskvärda meriter

• Erfarenhet av MOCVD tillväxt.
• Praktisk erfarenhet av karaktärisering av halvledare.
• Praktisk erfarenhet av röntgenfotoelektronspektroskopi
• Kunskap om halvledarfysik.
• Kunskap om elektroniska halvledarkomponenter.

Hänsyn kommer också att tas till god samarbetsförmåga, framåtanda, självständighet och personlig lämplighet, samt hur den sökande genom sin erfarenhet och kompetens bedöms ha den förmåga som behövs för att klara forskarutbildningen.

Villkor

Endast den som är antagen till forskarutbildning får anställas som doktorand. Forskarutbildningen är fyra år vid heltidsstudier. Vid undervisning och annat institutionsarbete förlängs anställningen i motsvarande grad, dock längst till 5 år (dvs. max 20 %). Bestämmelser gällande anställning som doktorand finns i Högskoleförordningen (1993:100), 5 kap 1-7 §§.

Så här söker du

Ansökan ska skrivas på engelska. Ansökan ska innehålla personligt brev med motivering till varför du är intresserad av anställningen och på vilket sätt forskningsprojektet matchar dina intressen och din utbildningsbakgrund. Ansökan ska även innehålla CV, examensbevis eller motsvarande, en kopia av examensarbete eller motsvarande alternativt en sammanfattning om arbetet inte är avslutat, samt övrigt som du önskar åberopa (kopior av betyg, uppgifter till referenser, rekommendationsbrev etc.). 

Du förväntas också besvara ett antal urvalsfrågor som ett första steg i denna rekryteringsprocess. 

Välkommen med din ansökan!