Doktorand i fysik med inriktning mot utveckling av nästa generations Ga2O3 material för kraftelektronik - Under tillsättning eller tillsatt, ej sökbar

Arbetsplats

Doktorandtjänsten är knuten till avdelningen för fasta tillståndets fysik vid fysiska institutionen, där omfattande forskning bedrivs centrerad kring olika områden inom nanofysik, alltifrån materialvetenskap till bio- och kvantfysik samt olika tillämpningar. Avdelningen är en central del av NanoLund, som är Lunds Universitets stora tvärvetenskapliga forskningscenter kring nanovetenskap och nanoteknik. Till avdelningen hör Lund Nano Lab, en central och gemensam facilitet för framställning av material och komponenter på nanoskalan. Avdelningen har även ett starkt engagemang i grundutbildningen, inte minst inom civilingenjörsprogrammet “Teknisk Nanovetenskap” vid LTH.

Under de senaste tjugo åren har vår forskning om tillverkning och avancerad karakterisering av halvledare med stora bandgap legat i internationell framkant. Vi leder för närvarande ett Vinnova-kompetenscentrum där vi utvecklar nästa generations högfrekvens- och kraftelektronik tillsammans med ledande svenska industripartners.

För mer information se https://c3nit.se/ , www.ftf.lth.se, www.nano.lu.se

Arbetsuppgifter

Hög ström och spänningskapacitet, tillförlitlighet och relativ låg kostnad är nyckelfaktorer i framtida halvledarmaterial som behövs för att uppnå gröna energisystem, vilket kan möjliggöras av nästa generations Ga2O3-material för kraftelektronik. Även om Ga2O3 anses vara ett av de mest lovande materialen för detta användningsområde, finns det utmaningar med att kontrollera defekter vid höga tillväxthastigheter. Dessutom är den låga värmeledningsförmågan hos Ga2O3 ett stort hinder för praktiska tillämpningar eftersom det kan leda till överhettning vid hög spänning och ström.

Därför är målen för doktorandprojektet att utveckla

• En MOCVD - metod för defektfri tillväxt av Ga2O3-material vid höga tillväxthastigheter
• Tillväxt i tunna filmer som kan överföras till material med högre värmeledningsförmåga.

Projektet kommer också att innefatta karakterisering av defekter och fria laddningsbäraregenskaper med THz optiska Halleffekten samt THz elektron paramagnetisk resonans (EPR) ellipsometri.

Huvuduppgiften för en doktorand är att ägna sig åt sin forskarutbildning vilket innefattar såväl deltagande i forskningsprojekt som forskarutbildningskurser. I arbetsuppgifterna kan det även ingå medverkan i undervisning och annat institutionsarbete, dock max 20 % av arbetstiden.

Behörighet

Grundläggande behörighet till utbildning på forskarnivå har den som:

• avlagt examen på avancerad nivå, eller
• fullgjort kursfordringar om minst 240 högskolepoäng, varav minst 60 högskolepoäng på avancerad nivå, eller
• på något annat sätt inom eller utom landet förvärvat i huvudsak motsvarande kunskaper.

Kraven på särskild behörighet för forskarutbildningsämnet fysik uppfyller den som har:

• minst 30 högskolepoäng på avancerad nivå med relevans för ämnesområdet, varav ett fördjupningsarbete om minst 15 högskolepoäng på avancerad nivå, eller
• civilingenjörsexamen inom teknisk fysik eller närliggande ämnesområde, eller masterexamen inom fysik eller närliggande ämnesområde.

Slutligen krävs att studenten bedöms ha den förmåga som behövs för att tillgodogöra sig utbildningen.

Övriga krav
Mycket goda kunskaper i engelska, i tal och skrift, är ett krav.

Bedömningsgrunder

Urval till utbildning på forskarnivå sker efter bedömd förmåga att tillgodogöra sig forskarutbildningen. Bedömningen av förmågan sker främst utifrån studieresultaten på grundnivå och avancerad nivå.

Följande beaktas:

1. Kunskaper och färdigheter relevanta för avhandlingsarbetet och utbildningsämnet, se Arbetsuppgifter. Dessa kan visas genom bilagda handlingar.
2. Bedömd förmåga till självständigt arbete och förmåga att formulera och angripa vetenskapliga problem. Bedömningen kan exempelvis ske utifrån examensarbetet och en diskussion kring detta vid en eventuell intervju.
3. Förmåga till skriftlig och muntlig kommunikation.
4. Övriga erfarenheter relevanta för utbildningen på forskarnivå, t.ex. yrkeserfarenhet.

Önskvärda meriter

• Erfarenhet av MOCVD tillväxt.
• Praktisk erfarenhet av karakterisering av defekter i epitaxiella III-oxider eller nitrider.
• Erfarenhet av elektrisk och strukturell karakterisering av Ga-baserade material.
• Kunskap om halvledarfysik.
• Kunskap om elektroniska halvledarkomponenter.

Hänsyn kommer också att tas till god samarbetsförmåga, framåtanda, självständighet och personlig lämplighet, samt hur den sökande genom sin erfarenhet och kompetens bedöms ha den förmåga som behövs för att klara forskarutbildningen.

Villkor

Endast den som är antagen till forskarutbildning får anställas som doktorand. Forskarutbildningen är fyra år vid heltidsstudier. Vid undervisning och annat institutionsarbete förlängs anställningen i motsvarande grad, dock längst till 5 år (dvs. max 20 %). Bestämmelser gällande anställning som doktorand finns i Högskoleförordningen (1993:100), 5 kap 1-7 §§.

Ansökningsförfarande

Ansökan ska skrivas på engelska. Ansökan ska innehålla personligt brev med motivering till varför du är intresserad av anställningen och på vilket sätt forskningsprojektet matchar dina intressen och din utbildningsbakgrund. Ansökan ska även innehålla CV, examensbevis eller motsvarande, en kopia av examensarbete eller motsvarande alternativt en sammanfattning om arbetet inte är avslutat, samt övrigt som du önskar åberopa (kopior av betyg, uppgifter till referenser, rekommendationsbrev etc.).

Välkommen med din ansökan!