Lunds universitet grundades 1666 och rankas återkommande som ett av världens främsta lärosäten. Här finns omkring 47 000 studenter och mer än 8 800 medarbetare i Lund, Helsingborg och Malmö. Vi förenas i vår strävan att förstå, förklara och förbättra vår värld och människors villkor.
Lunds universitet välkomnar sökande med olika bakgrund och erfarenheter. Jämställdhet, lika villkor och mångfald är grundläggande principer för alla delar av vår verksamhet.
Beskrivning av arbetsplatsen
Tjänsten är knuten till avdelningen för fasta tillståndets fysik vid fysiska institutionen, en avdelning med cirka 100 medarbetare där omfattande forskning bedrivs centrerad kring olika aspekter av nanofysik, alltifrån materialvetenskap till bio- och kvantfysik med olika tillämpningar. Avdelningen är en central del av NanoLund, som är Lunds universitets stora tvärvetenskapliga forskningscenter kring nanovetenskap och nanoteknik.
En betydande del av forskningen vid avdelningen är inriktad på karakterisering av halvledarmaterial. Avdelningen är värd för Prof. Vanya Darakchievas forskargrupp. Tillsammans med sina kooperationspartners har arbetsgruppen under senaste åren utvecklat ellipsometri med THz-strålning och dess användningar inom karakterisering av halvledarmaterial och halvledarkomponenter. Den optiska Hall effekten är en av de avancerade karakteriseringarna för att få tillgång till elektroniska transportegenskaper. Metoden har tillämpats till tvådimensionella halvledarsystem såsom nitridbaserade högelektronmobilitetstransistorer och grafen, men också till halvledare med stort bandgap och låg symmetri som t.ex. Ga2O3. Dessa material och komponenter lägger grunden för nästa generations högfrekvens- och högeffektelektronik som utvecklas tillsammans med ledande svenska industripartners.
För mer information se www.ftf.lth.se, www.nano.lu.se, THeMAC - Facilities - Linköping University (liu.se)
Vi erbjuder
Du kommer ingå i ett forskarlag inom NanoLund, ett internationellt framstående forskningscentrum som erbjuder god karriärutveckling, en öppen och inkluderande forskningsmiljö med aktiv gemenskap bland doktorander och postdoktorer, samt tillgång till förstklassiga laboratorier och utrustning för karaktärisering, nano-fabrikation och modellering.
Lunds universitet är en statlig myndighet vilket innebär att du får särskilda förmåner, generös semester och en förmånlig tjänstepension. Läs mer på universitets webbplats om att Jobba hos oss
Särskild ämnesbeskrivning
Ansvarig för tjänsten är Prof. Vanya Darakchieva vid avdelningen för fasta tillståndets fysik. Vanya Darakchieva har lång erfarenhet med utveckling av nya halvledarmaterial för högfrekvens- och kraftelektronik. Forskningen fokuserar också på att utveckla spektroskopiska tekniker för att studera elektroniska egenskaper och transportegenskaper hos material från bulk- till nanoskala.
En specifik inriktning som ska utformas vidare är att undersöka elektronspinnresonanser med THz-ellipsometern, s.k. högfält EPR. Det handlar om utvecklingen av utrustning och strategier baserad på polarisationsoptiska metoder och syftar på defektkarakterisering i halvledare. Utvecklingen handlar i huvudsak om grundforskning, men har starka kopplingar till framtida koncept för kvantteknologi.
Arbetsuppgifter
I arbetsuppgifterna som postdoktor ingår främst att bedriva forskning. Du kommer att arbeta nära med andra postdoktorer och med doktorander, och det finns således möjlighet att meritera sig som handledare. Även undervisning kan ingå i arbetsuppgifterna, dock högst en femtedel av arbetstiden. Inom ramen för anställningen ges det möjlighet till tre veckors högskolepedagogisk utbildning. Syftet med anställningen är att utveckla sin självständighet som forskare samt skapa förutsättningar för vidare meritering.
Syftet med detta postdoktorprojekt är att bedriva forskning inom THz-materialanalys för att expandera användningsområdet för THz-ellipsometri och optisk Halleffekt till elektronspinnresonans-ellipsometri. Metoden ska främst tillämpas inom materialvetenskap, i synnerhet för undersökning av kristallfaser och defekter i halvledare. Förutom nitridmaterialsystem kommer ett fokusområde att vara Ga2O3 och andra halvledare med ultrastora bandgap.
Behörighet
Behörig att anställas som postdoktor är den som har avlagt doktorsexamen, eller en utländsk examen som bedöms motsvara doktorsexamen, inom anställningens ämnesområde. Bevis om att behörighetskravet är uppfyllt ska ha inkommit senast vid tidpunkten då anställningsbeslut fattas. Främst kommer den sökande i fråga som avlagt examen högst tre år före sista ansökningsdag. Om det finns särskilda skäl kan doktorsexamen ha avlagts tidigare.
Övriga krav:
Bedömningsgrunder
Detta är en meriteringsanställning främst inriktad på forskning. Anställningen är tänkt som ett inledande steg i karriären och bedömningen av de sökande kommer i första hand att baseras på deras vetenskapliga meriter och potential som forskare. Särskild vikt kommer att fästas vid vetenskaplig förmåga inom ämnesområdet.
Vid anställning av postdoktor ska följande utgöra grund för bedömning:
Övriga meriter:
Hänsyn kommer att tas till hur den sökande genom sin erfarenhet och kompetens bedöms komplettera och stärka forskningen inom avdelningen/institutionen samt bidra till dess framtida utveckling.
Övrigt
Anställningen är tidsbegränsad till tre år och avser heltid. Anställningen tidsbegränsas enligt kollektivavtal, “Avtal om tidsbegränsad anställning som postdoktor”.
Så här söker du
Ansökan ska skrivas på engelska. Redovisa dina meriter enligt LTHs akademiska meritportfölj, se länk nedan. Ladda upp som PDF-filer i rekryteringssystemet (inkl. kopia av doktorsexamen). Läs mer här: http://www.lth.se/jobb/sokalararanstallning/
Välkommen med din ansökan!
Anställningsform | Tidsbegränsad anställning |
---|---|
Anställningens omfattning | Heltid |
Tillträde | Enligt överenskommelse |
Löneform | Månadslön |
Antal lediga befattningar | 1 |
Sysselsättningsgrad | 100 |
Ort | Lund |
Län | Skåne län |
Land | Sverige |
Referensnummer | PA2024/2770 |
Kontakt |
|
Facklig företrädare |
|
Publicerat | 2024-09-20 |
Sista ansökningsdag | 2024-12-02 |