Postdoktor i halvledarmaterial med stort bandgap - Under tillsättning eller tillsatt, ej sökbar

Fasta tillståndets fysik

Postdoktorstjänsten är knuten till avdelningen för fasta tillståndets fysik vid fysiska institutionen, där omfattande forskning bedrivs centrerad kring olika aspekter av halvledarfysik, alltifrån materialvetenskap till kvantfysik till olika tillämpningar. Avdelningen leder också NanoLund, Lunds Universitets stora tvärvetenskapliga forskningscenter kring nanovetenskap och nanoteknik. Lund Nano Lab utgör en central och gemensam facilitet för framställning av material och komponenter på nanoskalan. Avdelningen har även ett starkt engagemang i grundutbildningen, inte minst inom civilingenjörsprogrammet “Teknisk Nanovetenskap” vid LTH.

Forskningsområde

Under de senaste tjugo åren har vår forskning inom tillverkning och avancerad karakterisering av högbandgapshalvledare legat i den internationella framkanten. Framför allt leder vi just nu kompetenscentret för III-Nitrider där vi utvecklar nästa generations högfrekvens- och kraftelektronik tillsammans med ledande svenska industripartners. Vi vill utöka vår forskning inom området genom att utforska nya nanostrukturerande koncept för tillväxt av tjock galliumnitrid med låg defektivitet på Si-substrat för vertikala kraftkomponenter. Denna verksamhet är en integrerad del av EU ECSEL-projektet YESvGaN, som är inriktat på en ny lågkostnads-krafttransistorteknik för att möjliggöra elektroniska system med hög effektivitet inom området elektromobilitet, industriella drivenheter, förnybar energi och datacenter. Vår roll i projektet är utveckla materialtillväxt med en unik nanotrådsteknik och avancerad karakterisering av transportegenskaper.

För mer information se: https://c3nit.se/, https://liu.se/en/research/semiconductor-device-materials, www.ftf.lth.se, www.nano.lu.se

Arbetsuppgifter

I arbetsuppgifterna som postdoktor ingår främst att bedriva forskning. Undervisning kan ingå i arbetsuppgifterna, dock högst en femtedel av arbetstiden. Inom ramen för anställningen ska det ges möjlighet till tre veckors högskolepedagogisk utbildning. Det förväntas vidare att postdoktorn samverkar med studenterna och doktoranderna i forskningsgruppen och deltar i möten och seminarier.

Det specifika forskningsprojektet fokuserar på utveckling av ny uppskalningsbar och adaptiv GaN- och AlGaN-materialteknik för kraftelektronikapplikationer. Huvudarbetet involverar homoepitaxi på Ga(Al)N nanotrådsmallar på kiselsubstrat med hjälp av den toppmoderna MOCVDn hos ProNano. Mallarna tillverkas av industripartnern Hexagem med hjälp av en koalescensteknik som resulterar i GaN av mycket hög kvalitet. Målet är att bryta gränserna för aktuell toppmodern materialkvalitet genom att använda de fördelar som nanostrukturering har och utveckla tjocka GaN- och AlGaN-lager med låg defektivitet på Si-substrat. Projektet kommer också att innefatta karakterisering av fria laddningsbäraregenskaper med hjälp av avancerade terahertz ellipsometri-tekniker.

Post Doc-arbetet kommer att utföras i NanoLund inom ramen för ECSEL EU-projektet YesVGaN, ”Vertical GaN on Silicon: Wide Band Gap Power at Silicon Cost” i nära samarbete med europeiska industripartners inom hela värdekedjan från material till komponenter. Den sökande måste därför vara villig att engagera sig i och samarbeta med våra industriella partner och bidra till genomförandet och demonstrationen av forskningen. Post Doc-forskaren kommer att ges möjlighet att delta i projektledarskap inom YesVGaN och efter ett framgångsrikt avslut av Post Doc-arbetet kan vidare karriärmöjligheter vara möjliga.

Behörighet
Behörig att anställas som postdoktor är den som avlagt doktorsexamen, eller utländsk examen som bedöms motsvara doktorsexamen, inom anställningens ämnesområde och som avlagts högst tre år före ansökningstidens utgång. Om det finns särskilda skäl kan doktorsexamen ha avlagts tidigare.

Övriga krav:

• Mycket goda kunskaper i engelska, i både tal och skrift.
• Ämnesområde för doktorsexamen ska vara fysik, materialvetenskap eller motsvarande med inriktning mot MOCVD-växt av III-Nitrider.
• Praktisk erfarenhet av MOCVD-tillväxt av III-Nitrider.

Bedömningsgrunder
Detta är en meriteringsanställning främst inriktad på forskning. Anställningen är tänkt som ett inledande steg i karriären och bedömningen av de sökande kommer i första hand att baseras på deras vetenskapliga meriter och potential som forskare. Särskild vikt kommer att fästas vid vetenskaplig förmåga inom ämnesområdet.

Vid anställning av postdoktor ska följande utgöra grund för bedömning:

• God förmåga att utveckla och genomföra forskning av god kvalitet.
• Pedagogisk förmåga.

Övriga meriter:

• Erfarenhet av homoepitaxiell tillväxt.
• Erfarenhet av elektrisk och strukturell karakterisering av GaN och relaterade material.
• Kunskap om halvledarfysik.
• Dokumenterad erfarenhet av att skriva vetenskapliga artiklar.
• Kunskap om elektroniska halvledarkomponenter.
• Ledarskapsförmåga och ledarskapserfarenhet.

Hänsyn kommer också att tas till god samarbetsförmåga, driv och självständighet samt hur den sökande genom sin erfarenhet och kompetens bedöms komplettera och stärka pågående forskning inom institutionen samt bidra till dess framtida utveckling.

Villkor

Anställningen är tidsbegränsad till 2 år och avser heltid. Anställningen tidsbegränsas enligt avtal, “Avtal om tidsbegränsad anställning som postdoktor”, mellan arbetsmarknadens parter daterat 2008-09-04 (Arbetsgivarverket, OFR:s, Saco-S och SEKO).

Instruktioner för ansökan

Ansökan ska skrivas på engelska och ska innehålla:

• CV och publikationslista.
• Beskrivning av tidigare forskningserfarenhet, speciellt inom områden av relevans för den aktuella tjänsten.
• Kontaktinformation till minst två referenser.
• Kopior av diplom och betyg.

Sökande ombeds även svara på urvalsfrågor som ett sista steg i ansökandeprocessen.